真空等離子體涂覆薄膜沉積設(shè)備

常規(guī)的沉積涂覆工藝的缺點(diǎn)：

涂層厚度為毫米量級(jí)會(huì)影響電子產(chǎn)品的外觀(guān)及性能。
大量的化學(xué)品消耗，污染嚴(yán)重。
毛細(xì)效應(yīng)，導(dǎo)致高密度器件表面無(wú)法實(shí)現(xiàn)涂層。
樣品處理前仍然需要進(jìn)行復(fù)雜的清洗工藝以確保涂層黏附性。
涂覆有方向性，影響整體防護(hù)效果。
涂覆會(huì)影響樣品的射頻穿透性及產(chǎn)品的外觀(guān)。

設(shè)備工作原理：

Pluto-MC利用等離子體改性時(shí)，將試樣置于特定的離子處理裝置中，通過(guò)高能態(tài)的等離子轟擊試樣的表面，將能量傳遞給試樣表層的分子，使試樣發(fā)生

熱蝕、交聯(lián)、降解和氧化反應(yīng)，并使試樣表面發(fā)生C-F鍵和C-C鍵的斷裂，產(chǎn)生大量自由基或引進(jìn)某些極性基團(tuán)，從而優(yōu)化試樣表面的性能。

等離子體對(duì)其改性的主要途徑是引發(fā)表面接枝，具體方法是用非聚合氣體(如Ar,H2,O2,N2和空氣等)對(duì)樣品表面進(jìn)行等離子體處理，使其表而形成活性自

由基，之后利用活性自由基引發(fā)功能性單體，使其在表面進(jìn)行接枝聚合。利用沉淀反應(yīng)進(jìn)行表面改性,這是工業(yè)上目前應(yīng)用最多的方法。

真空等離子體涂覆薄膜沉積設(shè)備產(chǎn)品特點(diǎn)：

1.13.56MHz射頻電源與自動(dòng)匹配系統(tǒng)，具備優(yōu)異的穩(wěn)定性與可重復(fù)性。

2.優(yōu)化的氣體饋入與分布設(shè)計(jì)，提供優(yōu)秀的處理均勻性。

3.可靈活設(shè)置的電極及電極的實(shí)時(shí)可控，滿(mǎn)足功能材料的大面積可控沉積。

4.精準(zhǔn)安全的液態(tài)源供應(yīng)系統(tǒng)，滿(mǎn)足不同功能材料的快速大面積沉積。

5.PLC提供穩(wěn)定的過(guò)程控制，設(shè)備運(yùn)行的實(shí)時(shí)參數(shù)通過(guò)顯示屏直觀(guān)呈現(xiàn)。

6.系統(tǒng)設(shè)置多級(jí)管理權(quán)限，集簡(jiǎn)易的操作體驗(yàn)與嚴(yán)謹(jǐn)?shù)墓に嚬芸嘏c一體。

PLUTO-MC等離子涂覆鍍膜參數(shù)：

• 最大涂覆面積：150mm*150mm

• 頻率：13.56MHz

• 功率：0-200W
  

• 物料容積：10-150ml
  

• 溫控范圍：加熱（室溫~200℃）保溫（室溫~200℃）

• 流量控制：轉(zhuǎn)子流量計(jì)

• 管路：最多4路氣體（同時(shí)可通入4種物質(zhì)）

• 電源電壓：交流220V